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Texas Instruments Mikrocontroller MSP430 16bit SMD 116 kB, 256 B LQF
Familie = MSP430 Gehäusegröße = LQFP Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 64 Gerätekern = MSP4...
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Familie = MSP430
Gehäusegröße = LQFP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 64
Gerätekern = MSP430
Datenbus-Breite = 16bit
Programmspeicher-Größe = 116 kB, 256 B
Grenzfrequenz = 16MHz
RAM Speicher-Größe = 8 KB
USB-Kanäle = 0
Anzahl der PWM-Einheiten = 2 x 16 bit
Anzahl der SPI-Kanäle = 4
Anzahl der CAN-Kanäle = 0
Ethernet-Kanal Anzahl max. = 0mm
Extrem energiesparende Mikrocontroller MSP430F2x mit erweitertem Temperaturbereich, Texas Instruments. Die Geräte der Serie MSP430™ mit erweiterter Temperatur sind äußerst beliebt in rauen Umgebungen, die einen erweiterten Umgebungstemperaturbereich bis 105 °C erfordern. Bis zu 16 MHz CPU-Geschwindigkeit Bis zu 120 KB Flash-Speicher Bis zu 8 KB SRAM-Speicher Betrieb mit 1,8 V bis 3,6 V Smart Analog und Digital Geringe Leistungsaufnahme von 200 μA/MHz im aktiven Modus Echtzeituhrmodus mit geringer Leistungsaufnahme: 0,7 μA RAM-Erhaltung mit niedriger Leistungsaufnahme: 0,1 μA Ultraschnelle Aktivierung aus dem Standby-Modus in weniger als 6 μs
Gehäusegröße = LQFP
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 64
Gerätekern = MSP430
Datenbus-Breite = 16bit
Programmspeicher-Größe = 116 kB, 256 B
Grenzfrequenz = 16MHz
RAM Speicher-Größe = 8 KB
USB-Kanäle = 0
Anzahl der PWM-Einheiten = 2 x 16 bit
Anzahl der SPI-Kanäle = 4
Anzahl der CAN-Kanäle = 0
Ethernet-Kanal Anzahl max. = 0mm
Extrem energiesparende Mikrocontroller MSP430F2x mit erweitertem Temperaturbereich, Texas Instruments. Die Geräte der Serie MSP430™ mit erweiterter Temperatur sind äußerst beliebt in rauen Umgebungen, die einen erweiterten Umgebungstemperaturbereich bis 105 °C erfordern. Bis zu 16 MHz CPU-Geschwindigkeit Bis zu 120 KB Flash-Speicher Bis zu 8 KB SRAM-Speicher Betrieb mit 1,8 V bis 3,6 V Smart Analog und Digital Geringe Leistungsaufnahme von 200 μA/MHz im aktiven Modus Echtzeituhrmodus mit geringer Leistungsaufnahme: 0,7 μA RAM-Erhaltung mit niedriger Leistungsaufnahme: 0,1 μA Ultraschnelle Aktivierung aus dem Standby-Modus in weniger als 6 μs
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