ams OSRAM Fotodiode IR 1100nm Si, SMD LED Chip-Gehäuse 2-Pin

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ams OSRAM Fotodiode IR 1100nm Si, SMD LED Chip-Gehäuse 2-Pin

Erkennbare Spektren = IR Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 1100nm Gehäusetyp = LED...

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Descripción

Erkennbare Spektren = IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 1100nm
Gehäusetyp = LED Chip
Montage Typ = SMD
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 300nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Fallzeit typ. = 0.12µs
Länge = 2mm
Breite = 1.25mm
Höhe über Panel = 0.8mm
Durchmesser = 2 x 1.25 x 0.8mm
Polarität = Umgekehrtµs