ams OSRAM Fotodiode IR 880nm Si, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin

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ams OSRAM Fotodiode IR 880nm Si, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin

Erkennbare Spektren = IR Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 880nm Gehäusetyp = DIP ...

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Descripción

Erkennbare Spektren = IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 880nm
Gehäusetyp = DIP
Montage Typ = SMD
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 730nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Länge = 4.5mm
Breite = 4mm
Höhe über Panel = 1.2mm
Spitzenphotosensibilität = 0.65A/W
Polarität = Umgekehrt

PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse. Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.