ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin

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ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, THT 5mm Gehäuse 2-Pin

Erkennbare Spektren = IR Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 900nm Gehäusetyp = T1.3...

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Descripción

Erkennbare Spektren = IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 900nm
Gehäusetyp = T1.3/4
Verstärkerfunktion = Nein
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 750nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Länge = 5.9mm
Breite = 5mm
Höhe über Panel = 9mm
Spitzenphotosensibilität = 0.65A/W
Polarität = Positiv

PIN-Fotodiode – Gehäuse T-1 3/4 (5 mm). Diese Serie von PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors ist in durchkontaktierten Standardgehäusen im Format T-1 3/4 (5 mm) untergebracht. Sie haben eine strahlungsempfindliche Fläche von 1 x 1 mm². Die Fotodioden im T-1 3/4-Gehäuse bieten eine kurze Schaltzeit. Sie eignen sich für Anwendungen wie Hochgeschwindigkeits-Fotounterbrecher, industrielle Elektronik und Steuerung sowie Antriebsstromkreise.