ams OSRAM Fotodiode IR, Sichtbares Licht 850nm Si, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin
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ams OSRAM Fotodiode IR, Sichtbares Licht 850nm Si, SMD DIP-Gehäuse 2-Pin
Erkennbare Spektren = IR, Sichtbares Licht Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 850nm...
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Erkennbare Spektren = IR, Sichtbares Licht
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 850nm
Gehäusetyp = DIP
Montage Typ = SMD
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 400nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Länge = 4.5mm
Breite = 4mm
Höhe über Panel = 1.2mm
Spitzenphotosensibilität = 0.62A/W
Polarität = Umgekehrt
PIN-Fotodiode, strahlungsempfindliche Fläche 2,65 x 2,65 mm. Diese PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors haben eine empfindliche Fläche von 2,65 x 2,65 mm². Sie sind mit oder ohne Tageslichtfilter erhältlich. Diese PIN-Fotodioden sind ideal für Hochgeschwindigkeitsanwendungen.
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 850nm
Gehäusetyp = DIP
Montage Typ = SMD
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 400nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Länge = 4.5mm
Breite = 4mm
Höhe über Panel = 1.2mm
Spitzenphotosensibilität = 0.62A/W
Polarität = Umgekehrt
PIN-Fotodiode, strahlungsempfindliche Fläche 2,65 x 2,65 mm. Diese PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors haben eine empfindliche Fläche von 2,65 x 2,65 mm². Sie sind mit oder ohne Tageslichtfilter erhältlich. Diese PIN-Fotodioden sind ideal für Hochgeschwindigkeitsanwendungen.
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