ams OSRAM Fotodiode IR, UV, sichtbares Licht 860nm Si, THT 3mm Gehäuse 2-Pi

Erkennbare Spektren = IR, UV, sichtbares Licht
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 860nm
Gehäusetyp = T1
Montage Typ = THT
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 380nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Länge = 4mm
Breite = 3mm
Höhe über Panel = 5.2mm
Spitzenphotosensibilität = 0.62A/W
Polarität = Positiv

PIN-Fotodioden - 3 mm (T-1) Gehäuse. Diese Familie von PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors gibt es in 3mm (T-1) -Standardgehäusen mit Durchgangsbohrung. Sie haben ein klares Kunststoffgehäuse und sind für die Erfassung entweder des vollen Spektrums oder von sichtbarem Licht ausgelegt. Geeignete Anwendungen sind u. a.: Fotointerruptoren, elektronische Geräte in der Industrie und Steuerungs- und Antriebsschaltungen.. Merkmale der 3 mm (T-1) PIN-Fotodioden: Durchgangsbohrungsmontage Transparentes Kunststoffgehäuse Anwendungen zwischen 380 und 1100 nm Kurze Schaltzeit