ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 24μs, 460nm → 1080nm

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ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 24μs, 460nm → 1080nm

Erkennbare Spektren = IR, Sichtbares Licht Fallzeit typ. = 24µs Regelanstiegszeit = 24µ...

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Descripción

Erkennbare Spektren = IR, Sichtbares Licht
Fallzeit typ. = 24µs
Regelanstiegszeit = 24µs
Anzahl der Kanäle = 1
Lichtstrom max. = 2600µA
Dunkelstrom max. = 100nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel = 120 °
Polarität = NPN
Anzahl der Pins = 3
Montage Typ = SMD
Gehäusetyp = DIP
Abmessungen = 2.1 x 2.7 x 1.05mm
Kollektorstrom = 50mA
Wellenlänge max. = 1080nm
Länge = 2.1mm

Fototransistor, Smart DIL-Gehäuse. 2,7 x 2,1 x 1,1 mm Gehäuseabmessungen Hohe Linearität