ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, SMD DIP-Gehäuse 3-Pin
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ams OSRAM Fotodiode IR 900nm Si, SMD DIP-Gehäuse 3-Pin
Erkennbare Spektren = IR Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 900nm Gehäusetyp = DIP ...
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Erkennbare Spektren = IR
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 900nm
Gehäusetyp = DIP
Verstärkerfunktion = Nein
Anzahl der Pins = 3
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 750nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Länge = 2.1mm
Breite = 2.7mm
Höhe über Panel = 1.05mm
Polarität = Positiv
PIN-Fotodiode, empfindlicher Bereich 1 x 1 mm. Diese SMD-PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors haben eine strahlungsempfindliche Fläche von 1 x 1 mm². Sie sind in Smart-DIL-Gehäusen untergebracht und mit oder ohne Tageslichtfilter erhältlich. Geeignete Anwendungen umfassen: industrielle Elektronik, Automobile (Regensensor, Headset usw.) sowie Fotounterbrecher.. SFH2400FAZ mit Tageslichtfilter
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 900nm
Gehäusetyp = DIP
Verstärkerfunktion = Nein
Anzahl der Pins = 3
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 750nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Länge = 2.1mm
Breite = 2.7mm
Höhe über Panel = 1.05mm
Polarität = Positiv
PIN-Fotodiode, empfindlicher Bereich 1 x 1 mm. Diese SMD-PIN-Fotodioden von OSRAM Opto Semiconductors haben eine strahlungsempfindliche Fläche von 1 x 1 mm². Sie sind in Smart-DIL-Gehäusen untergebracht und mit oder ohne Tageslichtfilter erhältlich. Geeignete Anwendungen umfassen: industrielle Elektronik, Automobile (Regensensor, Headset usw.) sowie Fotounterbrecher.. SFH2400FAZ mit Tageslichtfilter
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