ams OSRAM Fotodiode IR, Sichtbares Licht 850nm Si, THT TO5-Gehäuse 2-Pin
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ams OSRAM Fotodiode IR, Sichtbares Licht 850nm Si, THT TO5-Gehäuse 2-Pin
Erkennbare Spektren = IR, Sichtbares Licht Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 850nm...
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Erkennbare Spektren = IR, Sichtbares Licht
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 850nm
Gehäusetyp = TO5
Montage Typ = THT
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 400nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Länge = 9.5mm
Breite = 9.5mm
Höhe über Panel = 3.7mm
Spitzenphotosensibilität = 0.62A/W
Polarität = Positiv
PIN-Fotodiode, TO-39-Gehäuse. Die BPX 61 von OSRAM Opto Semiconductors ist eine Silizium-PIN-Fotodiode in einem hermetisch abgedichteten TO-39-Gehäuse. Sie wurde für Anwendungen mit einer Wellenlänge von 400 bis 1100 nm entwickelt. Geeignete Anwendungen für die Fotodiode BPX 61 umfassen: Industrieelektronik, Fotointerruptoren, IR-Fernbedienung und für Steuerungs-/und Antriebskreise.. Merkmale der Fotodiode BPX 61: TO-39-Gehäuse (ähnlich wie TO-5) Hermetisch abgedichteter Metallzylinder Geeignet für Anwendungen bis zu 125 °C Kurze Schaltzeit
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 850nm
Gehäusetyp = TO5
Montage Typ = THT
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 400nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Länge = 9.5mm
Breite = 9.5mm
Höhe über Panel = 3.7mm
Spitzenphotosensibilität = 0.62A/W
Polarität = Positiv
PIN-Fotodiode, TO-39-Gehäuse. Die BPX 61 von OSRAM Opto Semiconductors ist eine Silizium-PIN-Fotodiode in einem hermetisch abgedichteten TO-39-Gehäuse. Sie wurde für Anwendungen mit einer Wellenlänge von 400 bis 1100 nm entwickelt. Geeignete Anwendungen für die Fotodiode BPX 61 umfassen: Industrieelektronik, Fotointerruptoren, IR-Fernbedienung und für Steuerungs-/und Antriebskreise.. Merkmale der Fotodiode BPX 61: TO-39-Gehäuse (ähnlich wie TO-5) Hermetisch abgedichteter Metallzylinder Geeignet für Anwendungen bis zu 125 °C Kurze Schaltzeit
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