ams OSRAM Fotodiode IR, UV, sichtbares Licht 850nm Si, THT TO18-Gehäuse 2-P
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ams OSRAM Fotodiode IR, UV, sichtbares Licht 850nm Si, THT TO18-Gehäuse 2-P
Erkennbare Spektren = IR, UV, sichtbares Licht Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 8...
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Erkennbare Spektren = IR, UV, sichtbares Licht
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 850nm
Gehäusetyp = TO18
Verstärkerfunktion = Nein
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 350nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Länge = 5.6mm
Breite = 5.6mm
Höhe über Panel = 5.5mm
Spitzenphotosensibilität = 0.55A/W
Polarität = Positiv
PIN-Fotodiode – TO-18-Gehäuse. Die BPX 65-PIN-Fotodiode von OSRAM Opto Semiconductors ist in einem TO-18-Metallzylindergehäuse untergebracht. Der Metallzylinder ist hermetisch gekapselt, sodass die BPX 65 ideal für den Einsatz in rauen Umgebungen bis zu 125 °C ist. Weitere geeignete Anwendungen umfassen Industrieelektronik, Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren und Steuer-/Antriebsschaltkreise.. Merkmale der BPX 65-Silizium-PIN-Fotodiode: Metallzylindergehäuse TO-18 Durchgangsbohrung Wellenlänge: 350 bis 1100 nm Kurze Schaltzeit
Wellenlänge der max. Empfindlichkeit = 850nm
Gehäusetyp = TO18
Verstärkerfunktion = Nein
Anzahl der Pins = 2
Diodenmaterial = Si
Wellenlänge min. = 350nm
Wellenlänge max. = 1100nm
Länge = 5.6mm
Breite = 5.6mm
Höhe über Panel = 5.5mm
Spitzenphotosensibilität = 0.55A/W
Polarität = Positiv
PIN-Fotodiode – TO-18-Gehäuse. Die BPX 65-PIN-Fotodiode von OSRAM Opto Semiconductors ist in einem TO-18-Metallzylindergehäuse untergebracht. Der Metallzylinder ist hermetisch gekapselt, sodass die BPX 65 ideal für den Einsatz in rauen Umgebungen bis zu 125 °C ist. Weitere geeignete Anwendungen umfassen Industrieelektronik, Hochgeschwindigkeits-Fotodetektoren und Steuer-/Antriebsschaltkreise.. Merkmale der BPX 65-Silizium-PIN-Fotodiode: Metallzylindergehäuse TO-18 Durchgangsbohrung Wellenlänge: 350 bis 1100 nm Kurze Schaltzeit
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