ams OSRAM Fotodiode IR, Sichtbares Licht 850nm Si, THT DIP-Gehäuse 2-Pin
Wählen Sie einzelne Artikel in der nachfolgenden Tabelle für Detailinformationen, weitere Bilder und Dokumente.
ams OSRAM Fotodiode IR, Sichtbares Licht 850nm Si, THT DIP-Gehäuse 2-Pin
PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse. Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors geh...
Mehr aus der Kategorie:
Dioden
Verkauf und Versand durch
Ausführungen
PIN-Fotodiode, DIL-Gehäuse. Diese IR-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors gehören zur Serie BPW 34. Sie werden in SMD-Gehäusen oder durchkontaktierten DIL-Kunststoffgehäusen mit einer strahlungsempfindlichen Fläche von 2,65 x 2,65 mm geliefert. Die IR-Fotodioden der Serie BPW 34 wurden für Anwendungen mit einem Wellenlängenbereich von bis zu 1100 nm entwickelt. Weitere geeignete Anwendungen umfassen: Fotounterbrecher, IR-Fernbedienungen und Kfz-Sensoren, Headsets usw.
RAL Farbwert auswählen
ACHTUNG: Die Bildschirmdarstellung der Farbe weicht vom wirklichen Farbton ab!
