ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm / 4500μA, 2-Pin 3mm

Erkennbare Spektren = IR
Fallzeit typ. = 7µs
Regelanstiegszeit = 7µs
Anzahl der Kanäle = 1
Lichtstrom max. = 4500µA
Dunkelstrom max. = 200nA
Empfindlichkeit-Halbwertswinkel = 24 °
Polarität = NPN
Anzahl der Pins = 2
Montage Typ = THT
Gehäusetyp = 3 mm (T-1)
Abmessungen = 4 x 4 x 5.2mm
Kollektorstrom = 15mA
Empfindlichkeit im Spektralbereich = 730 → 1120 nmnm
Länge = 4mm

T-1-Gehäuse (3 mm) des Fototransistors. Diese Produktreihe von NPN-Silizium-Fototransistoren von OSRAM Opto Semiconductors besteht aus einer Serie von durchkontaktierten 3-mm-(T-1)-Geräten. Sie verfügen über klare oder schwarze Kunststofflinsen und die diffusen Linsen werden für Tageslichtfilter verwendet. Geeignete Anwendungen sind Fotointerruptoren, Industrieelektronik und Steuerungs-/Treiberschaltungen.. Standard-3-mm-(T-1)-Gehäuse Durchgangsbohrung